。刻蚀便是运用光刻胶或其它资料做掩蔽层，对没有维护的区域进行腐蚀，终究完成将掩膜版上的图形变成硅片（或晶圆）上的图形，完成图形搬运。
浅显来说，刻蚀便是光刻后运用化学或物理的手法，对硅片本体精雕细琢的进程。刻蚀后在硅片上出现出逻辑电路结构。在本篇文章中，将要点论述湿法刻蚀。（下图中，Photoresist Mask光刻胶维护的部分，没有被刻蚀掉。）
在IC制作工艺中，刻蚀首要分为两类，干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀运用液态化学品，让硅片在强酸强碱溶液中刻蚀。干法刻蚀，运用气体等离子体，让硅片在化学气体的离子轰击下部分刻蚀。依照其反响的实质，能够分为化学办法，物理办法，化学与物理结合的办法。
首要，湿法刻蚀是朴实的化学反响，它是运用化学试剂，与被刻蚀资料产生化学反响生成可溶性物质或挥发性物质。湿法刻蚀的技能，在古代就得到了许多运用。比方在中世纪的时分，欧洲人会用酸性溶液在金属盔甲上蚀刻雕花。在前期集成电路年代，工程师用强酸强碱来大规模刻出芯片。（下图中，各种刻蚀办法出现的沟槽作用）
芯片上还有硅、氧化硅、碳化硅、氮化镓等各种介质。湿法刻蚀需求运用各种不同的强酸强碱去去除这些杂质。比方硅比金属安稳，需求运用浓硝酸和氢氟酸去溶解，外加乙酸谐和，简称HNA溶剂。其间氢氟酸十分风险，触摸皮肤后，会敏捷进入安排，腐蚀骨骼，俗称化骨水。
不同的晶向的硅，腐蚀速率也不同，一般常用KOH腐蚀单晶硅。关于二氧化硅，常用NH4F作为缓冲液，防止HF对二氧化硅腐蚀太快。
针对刻蚀的终究要求，图形搬运时的保真度，挑选比，均匀性和刻蚀的清洁。刻蚀有几个要害目标，刻蚀速率，挑选比，方向性。
刻蚀速率，是指单位时刻内硅片外表被刻蚀的资料去除量。通常是刻蚀厚度除以刻蚀时长，每分钟丢失多少微米的厚度，或者是每秒钟丢失多少纳米的厚度。在湿法刻蚀中，刻蚀深度是运用刻蚀时长来操控。
挑选比，对不同的资料的刻蚀速率的比值。比方硅和光刻胶的挑选比是10：1，那每刻蚀掉10微米的硅，就会丢失1微米的光刻胶。所以挑选比越高，刻蚀越安全。
一般的湿法刻蚀没有方向，朝各个方向均匀腐蚀，简称为各向同性。在业界，各向同性会导致钻蚀，挖穿本应被光刻胶维护的区域，导致器材短路或开路。在芯片规划中，抱负状况是没有横向刻蚀，只要纵向刻蚀，这叫各向异性。
现实状况中，横向刻蚀无法防止，只能是削减。比方运用单晶硅在不同晶向上对氢氧化钾的耐腐蚀性不同，溶液在底部平面的腐蚀速度，要比在旁边面斜面强数百倍。
在21世纪初，集成电路开端进入几十纳米阶段。湿法刻蚀因为其存在的局限性，退出了许多工艺制程。干法刻蚀，得到了工程师和设备商的喜爱。
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