在芯片进行光刻、刻蚀之前，需求堆积一层薄膜。这层薄膜可能是各种化合物外延，多晶硅栅极，金属层导体等等。经过对这层薄膜的光刻、刻蚀，才干雕刻出逻辑电路的沟槽，然后装上各种导体和绝缘体，以来构成逻辑电路的衔接
堆积又叫做淀积，一般经过物理办法在晶圆外表喷上去或许经过化学办法在晶圆上长出来。堆积工艺十分直观，将晶圆基底投入堆积设备中，待构成充沛的薄膜后，整理剩余的部分就可以进入下一道工序。
由于商场对电子产品的功用和低电耗的要求越来越高，薄膜堆积也变得越来越杂乱。不同于在外表刷一层漆那样简略，在硅片或晶圆上堆积一层，往往是纳米级其他薄膜，细密性和均匀性也有着极高的要求。
CVD的长处是速率快，由于在晶圆外表产生化学反应，具有优异的台阶覆盖率。可是缺陷也很明显，产生副产物抛弃。PVD的长处是无副产物，堆积薄膜的纯度高，因而多用于纯洁物的金属布线。
还有一种特别的堆积办法，即原子层堆积（ALD，Atomic Layer Deposition）。原子层堆积与一般的化学堆积又相似之处，可是又有不同的成长办法。ALD最大优势在于堆积层极端均匀的厚度和优异的台阶覆盖率。（下图为ALD示意图）
物理气相堆积是指在真空条件下选用物理办法将资料源（固体或液体）外表气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并经过低压电气（或等离子体）进程，在基体外表堆积具有某种特别功用的薄膜的技能。（下图是溅射镀膜的原理图）
早在20世纪初，PVD技能就有运用。在进入半导体开展黄金期，工程师们发现PVD堆积温度低且可控制在500摄氏度以下，受到了业界的喜爱。
在此前，由于温度低于大部分工件的回火温度，对工件的强度和耐性没有影响，PVD技能被运用于高精度刀具，磨具和冲突磨损件的终究处理工艺。现在，PVD用于半导体制造范畴逻辑和储存器上制造超薄，超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。
在前期半导体开展的进程中，物理气相堆积发挥了巨大的作用。跟着半导体微细化趋势，尤其是智能手机的兴起，让化学气相堆积和原子层堆积，得到了极大的研讨和开展。
于PCB的首选办法。网板厚度是要害的参数，由于PCB上的锡膏 层是网板开孔面积和厚度的函数。这将在本章的网板规划部分具体评论。运用钢质刮刀以
编号：JFKJ-21-031作者：炬丰科技介绍二元 II-VI 半导体是由元素周期表第 II 族和第 VI 族独有的元素组成的化合物
:介绍了德国KEP特别钢厂的概略及VOD精粹设备结构，分析了VOD真空处理
，但它们首要运用光刻和等离子蚀刻在裸片上创立图画。另一方面，MEMS是选用体硅加工
清洗的作用，该进程包含运用溶解的臭氧来去除晶片外表的有机物，此外，该进程是在原位进行的，没有像传统上那样将晶圆从
清洗的作用 /
处理晶片。国家半导体技能路线图规则了从硅片上去除颗粒百分比的规范应战，该应战根据增加到硅片上的“>
技能 /
是指选用物理办法，如真空蒸发、溅射 （Sputtering）镀膜、离子体镀膜和分子束外延等，在圆片外表构成薄膜。
(Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分压的多种气相状况反应物在必定温度和气压下产生化学反应，生成的固态物质
在半导体制造中用于为各种逻辑器材和存储器材制造超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 运用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层
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